| DTC144EEBHZGTL | |
|---|---|
| Artikelnummer | DTC144EEBHZGTL |
| Hersteller | LAPIS Semiconductor |
| Beschreibung | NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI |
| Verfügbare Menge | 2656 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.DTC144EEBHZGTL.pdf2.DTC144EEBHZGTL.pdf |
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| DTC144EEBHZGTL Price |
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| Technische Information von DTC144EEBHZGTL | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | DTC144EEBHZGTL | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | LAPIS Semiconductor | Beschreibung | NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI |
| Paket / Fall | Cut Tape (CT) | Verfügbare Menge | 2656 pcs |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased + Diode |
| Supplier Device-Gehäuse | EMT3F (SOT-416FL) | Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms | Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
| Leistung - max | 150mW | Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse | SC-89, SOT-490 | Andere Namen | DTC144EEBHZGTLCT |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 40 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | 250MHz | detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL) |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 68 @ 5mA, 5V | Strom - Collector Cutoff (Max) | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA | DTC144EEBHZGTL Einzelheiten PDF [English] | DTC144EEBHZGTL PDF - EN.pdf |
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| Zugehörige Teile für DTC144EEBHZGTL | |||||
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