| DTA123JMFHAT2L | |
|---|---|
| Artikelnummer | DTA123JMFHAT2L |
| Hersteller | LAPIS Semiconductor |
| Beschreibung | PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI |
| Verfügbare Menge | 2544 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.DTA123JMFHAT2L.pdf2.DTA123JMFHAT2L.pdf |
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| Technische Information von DTA123JMFHAT2L | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | DTA123JMFHAT2L | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | LAPIS Semiconductor | Beschreibung | PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI |
| Paket / Fall | Digi-Reel® | Verfügbare Menge | 2544 pcs |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse | VMT3 | Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms | Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
| Leistung - max | 150mW | Verpackung | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-723 | Andere Namen | DTA123JMFHAT2LDKR |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 7 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | 250MHz | detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 10mA, 5V | Strom - Collector Cutoff (Max) | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA | DTA123JMFHAT2L Einzelheiten PDF [English] | DTA123JMFHAT2L PDF - EN.pdf |
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| Zugehörige Teile für DTA123JMFHAT2L | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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