BSM180D12P3C007
Artikelnummer BSM180D12P3C007
Hersteller LAPIS Semiconductor
Beschreibung SIC POWER MODULE
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Technische Information von BSM180D12P3C007
Hersteller-Teilenummer BSM180D12P3C007 Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller LAPIS Semiconductor Beschreibung SIC POWER MODULE
Paket / Fall Bulk Verfügbare Menge 2593 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 5.6V @ 50mA Supplier Device-Gehäuse Module
Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Leistung - max 880W Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse Module Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Typ FET 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Standard Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1.2kV)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C - BSM180D12P3C007 Einzelheiten PDF [English] BSM180D12P3C007 PDF - EN.pdf
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