BSM180D12P3C007 | |
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Artikelnummer | BSM180D12P3C007 |
Hersteller | LAPIS Semiconductor |
Beschreibung | SIC POWER MODULE |
Verfügbare Menge | 2593 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
ECAD -Modell | |
Datenblätter | |
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Technische Information von BSM180D12P3C007 | |||
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Hersteller-Teilenummer | BSM180D12P3C007 | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
Hersteller | LAPIS Semiconductor | Beschreibung | SIC POWER MODULE |
Paket / Fall | Bulk | Verfügbare Menge | 2593 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 50mA | Supplier Device-Gehäuse | Module |
Serie | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Leistung - max | 880W | Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | Module | Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Merkmal | Standard | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | - | BSM180D12P3C007 Einzelheiten PDF [English] | BSM180D12P3C007 PDF - EN.pdf |
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