2SK3018T106
Artikelnummer 2SK3018T106
Hersteller Rohm Semiconductor
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3
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Technische Information von 2SK3018T106
Hersteller-Teilenummer 2SK3018T106 Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Hersteller LAPIS Technology Beschreibung MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3
Paket / Fall UMT3 Verfügbare Menge 153200 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse UMT3
Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 10mA, 4V
Produktstatus Not For New Designs Verlustleistung (max) 200mW (Ta)
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 Paket Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13 pF @ 5 V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100mA (Ta)
Grundproduktnummer 2SK3018 2SK3018T106 Einzelheiten PDF [English] 2SK3018T106 PDF - EN.pdf
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Produktmodell

2SK3018T106

Einführung

N-Kanal MOSFET Transistor

Marke und Hersteller

LAPIS Semiconductor

Merkmale

N-Kanal Verstärkungstransistor, niedriger Einschaltwiderstand, hohe Schaltgeschwindigkeit, Niederspannungsantrieb

Produktleistung

Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 150°C, hoher Drainstrom bis zu 100mA, niedriger Rds on 8 Ohm bei 10mA mit 4V Gate, niedrige Eingangskapazität von 13pF

Technische Spezifikationen

FET-Technologie: MOSFET (Metalloxid), Drain-zu-Source-Spannung (Vdss): 30V, Kontinuierlicher Drainstrom (Id): 100mA, Maximale Verlustleistung: 200mW, Ansteuerspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2,5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm, Vgs(th) (Max) @ Id: 1,5V, Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF, Vgs (Max): ±20V

Abmessungen, Form und Verpackung

Oberflächenmontage, Gehäuse/Typ: SC-70, SOT-323, Verpackung des Herstellers: UMT3, Verpackung: Tape & Reel (TR)

Qualität und Zuverlässigkeit

Blei-frei und RoHS-konform

Produktvorteile

Energieeinsparend, Betrieb bei niedriger Spannung, geeignet für die hochdichte Montage

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Gute thermische Leistung, hohe Effizienz mit niedrigem Einschaltwiderstand

Kompatibilität

UMT3-Gehäuse kompatibel mit automatisierten Bestückungsmaschinen

Standardzertifizierung und Konformität

RoHS-konform

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Haltbare Konstruktion geeignet für den langfristigen Einsatz

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Schaltanwendungen, Energieverwaltung, mobile Geräte, tragbare Elektronik

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