IXTH360N055T2
Artikelnummer IXTH360N055T2
Hersteller IXYS Corporation
Beschreibung MOSFET N-CH 55V 360A TO-247
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Technische Information von IXTH360N055T2
Hersteller-Teilenummer IXTH360N055T2 Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller IXYS Corporation Beschreibung MOSFET N-CH 55V 360A TO-247
Paket / Fall Tube Verfügbare Menge 32363 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH) Serie TrenchT2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 mOhm @ 100A, 10V Verlustleistung (max) 935W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-247-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Befestigungsart Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20000pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 360A (Tc)
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