IXTA36N30P | |
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Artikelnummer | IXTA36N30P |
Hersteller | IXYS Corporation |
Beschreibung | MOSFET N-CH 300V 36A TO-263 |
Verfügbare Menge | 5600 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
ECAD -Modell | |
Datenblätter | |
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Technische Information von IXTA36N30P | |||
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Hersteller-Teilenummer | IXTA36N30P | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
Hersteller | IXYS Corporation | Beschreibung | MOSFET N-CH 300V 36A TO-263 |
Paket / Fall | TO-263 | Verfügbare Menge | 5600 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | TO-263 (IXTA) |
Serie | PolarHT™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 18A, 10V |
Verlustleistung (max) | 300W (Tc) | Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2250pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 300V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 36A (Tc) |
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Zugehörige Teile für IXTA36N30P | |||||
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IXTA36N30P MOS | IXYS TO-263 | IXYS | |||
IXTA32N20T | MOSFET N-CH 200V 32A TO-263 | IXYS | |||
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