| IXTA1N200P3HV | |
|---|---|
| Artikelnummer | IXTA1N200P3HV |
| Hersteller | IXYS |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV |
| Verfügbare Menge | 3555 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | |
| Herunterladen | IXTA1N200P3HV Einzelheiten PDF |
| IXTA1N200P3HV Price |
Preis und Lieferzeit online anfordern or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technische Information von IXTA1N200P3HV | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | IXTA1N200P3HV | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | IXYS Corporation | Beschreibung | MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV |
| Paket / Fall | Tube | Verfügbare Menge | 3555 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | TO-263 (IXTA) |
| Serie | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 Ohm @ 500mA, 10V |
| Verlustleistung (max) | 125W (Tc) | Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 646pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.5nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 2000V (2kV) | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1A (Tc) |
| IXTA1N200P3HV Einzelheiten PDF [English] | IXTA1N200P3HV PDF - EN.pdf | ||
| Herunterladen | IXTA1N200P3HV Einzelheiten PDF | ||
Mailen Sie uns: Info@Ariat-Tech.com oder RFQ IXTA1N200P3HV Online.
| IXTA1N200P3HV-Lager | IXTA1N200P3HV Preis | IXTA1N200P3HV-Elektronik | |||
| IXTA1N200P3HV-Komponenten | IXTA1N200P3HV Inventar | IXTA1N200P3HV Digikey | |||
| Lieferant IXTA1N200P3HV | IXTA1N200P3HV online bestellen | Anfrage IXTA1N200P3HV | |||
| IXTA1N200P3HV-Bild | IXTA1N200P3HV Bild | IXTA1N200P3HV PDF | |||
| IXTA1N200P3HV Datenblatt | IXTA1N200P3HV Datenblatt herunterladen | Hersteller IXYS Corporation | |||
| Zugehörige Teile für IXTA1N200P3HV | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
 |
IXTA1R4N120P | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263 | IXYS | ||
 |
IXTA200N055 | IXTA200N055 IXYS | IXYS | ||
|
IXTA18P10T | MOSFET P-CH 100V 18A TO-263 | IXYS | ||
|
IXTA182N055T | MOSFET N-CH 55V 182A TO-263 | IXYS | ||
|
IXTA1R6N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK | IXYS | ||
 |
IXTA1R6N100D2HV | MOSFET N-CH | IXYS Corporation | ||
|
IXTA180N10T7 TRL | IXYS TO263 | IXYS | ||
|
IXTA1R6N50D2 | MOSFET N-CH 500V 1.6A D2PAK | IXYS | ||
|
IXTA1N170DHV | MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263 | IXYS | ||
|
IXTA200N055T2 | MOSFET N-CH 55V 200A TO-263 | IXYS | ||
 |
IXTA182N055T7 | MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7 | IXYS | ||
|
IXTA1N100 | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263 | IXYS | ||
|
IXTA200N075T | MOSFET N-CH 75V 200A TO-263 | IXYS | ||
|
IXTA1N80 | MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263 | IXYS | ||
|
IXTA180N10T7 | MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7 | IXYS | ||
|
IXTA1N100P | MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263 | IXYS | ||
|
IXTA180N10T7 MOS | IXYS TO-263-7L | IXYS | ||
|
IXTA1R4N100P | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263 | IXYS | ||
|
IXTA1N120P | MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263 | IXYS | ||
|
IXTA200N075T7 | MOSFET N-CH 75V 200A TO-263-7 | IXYS | ||
Nachrichten
Mehr
Im November übertraf die Marktnachfrage nach den wichtigsten Werbeveranstaltungen wie "Double 11" in China und "Black Friday" in Übersee die Erwartu...
Amazon hat die Entwicklung seiner Inferentia -KI -Chips eingestellt und wird sich stattdessen auf Trainiumchips konzentrieren, die für die Ausbildung...
STMICROELECTRONICS hat eine neue Serie von 40-V-Stripfet-F8-MOSFETs mit Standardschwellenspannung (VGS (TH)) auf den Markt gebracht, wobei die Vorteil...
Vishay Intertechnology, Inc. hat die Veröffentlichung des D2to35M, eines neuen Dick-Film-Leistungswiderstands für Automobilqualität im TO-263 (D2PA...
Laut dem jüngsten Bericht von MarketSandAndmarkets wird der globale Bildsensormarkt voraussichtlich von 20,66 Mrd. USD im Jahr 2024 auf 29,62 Milliar...
Neue Produkte
Mehr
PD30 Serie Photoelektrischer Sensor Die Miniatur-Lichtschranken von Carlo Gavazzi sind leistungsstar...
XC112 / XR112 Evaluierungskit für das gepulste kohärente Radar A111Acconeers XC112 und XR112 Evaluierungskit mit flachen flexiblen Kabeln und Unters...
MINAS A6-Serie Servoantriebe und Motoren Panasonics MINAS A6-Familie gewährleistet einen stabilen B...
UV-LED-Treiberplatine RayVios UV-LED-Treiberplatine für XE- und XP1-UV-C-Emitter RayVios ultravio...
Industrieller und erweiterter Test DDR SDRAM Insignis 'DDR SDRAM-Bausteine garantieren den Betri...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966HINZUFÜGEN: Rm 2703 27F Ho King Kommunikationszentrum 2-16,
Fa Yuen St. MongKok Kowloon, Hong Kong.
Copyright-Hinweis © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Alle Rechte vorbehalten.