| IXFC80N10 | |
|---|---|
| Artikelnummer | IXFC80N10 |
| Hersteller | IXYS Corporation |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220 |
| Verfügbare Menge | 2649 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | |
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| Technische Information von IXFC80N10 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | IXFC80N10 | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | IXYS Corporation | Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220 |
| Paket / Fall | Tube | Verfügbare Menge | 2649 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | ISOPLUS220™ | Serie | HiPerFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5 mOhm @ 40A, 10V | Verlustleistung (max) | 230W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | ISOPLUS220™ |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
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| IXFC80N10 Datenblatt | IXFC80N10 Datenblatt herunterladen | Hersteller IXYS Corporation | |||
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