| IXFA12N65X2 | |
|---|---|
| Artikelnummer | IXFA12N65X2 |
| Hersteller | IXYS Corporation |
| Beschreibung | MOSFET N-CH |
| Verfügbare Menge | 2977 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | IXFA12N65X2.pdf |
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| Technische Information von IXFA12N65X2 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | IXFA12N65X2 | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | IXYS Corporation | Beschreibung | MOSFET N-CH |
| Paket / Fall | Verfügbare Menge | 2977 pcs | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | TO-263AA |
| Serie | HiPerFET™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 310 mOhm @ 6A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 180W (Tc) | Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 24 Weeks | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1134pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 650V 12A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-263AA |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12A (Tc) | IXFA12N65X2 Einzelheiten PDF [English] | IXFA12N65X2 PDF - EN.pdf |
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