FII50-12E
Artikelnummer FII50-12E
Hersteller IXYS Corporation
Beschreibung IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5
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Technische Information von FII50-12E
Hersteller-Teilenummer FII50-12E Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller IXYS Corporation Beschreibung IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5
Paket / Fall Verfügbare Menge 2607 pcs
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS i4-PAC™ Serie -
Leistung - max 200W Verpackung / Gehäuse i4-Pac™-5
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) NTC-Thermistor No
Befestigungsart Through Hole Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 2nF @ 25V
Eingang Standard IGBT-Typ NPT
Strom - Collector Cutoff (Max) 400µA Strom - Kollektor (Ic) (max) 50A
Konfiguration Half Bridge FII50-12E Einzelheiten PDF [English] FII50-12E PDF - EN.pdf
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