SIDC06D120E6
Artikelnummer SIDC06D120E6
Hersteller International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung DIODE GEN PURP 1.2KV 5A WAFER
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Technische Information von SIDC06D120E6
Hersteller-Teilenummer SIDC06D120E6 Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller International Rectifier (Infineon Technologies) Beschreibung DIODE GEN PURP 1.2KV 5A WAFER
Paket / Fall Bulk Verfügbare Menge 2518 pcs
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.9V @ 5A Spannung - Sperr (Vr) (max) 1200V (1.2kV)
Supplier Device-Gehäuse Sawn on foil Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie - Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse Die Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C
Befestigungsart Surface Mount Diodentyp Standard
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 27µA @ 1200V Strom - Richt (Io) 5A (DC)
Kapazität @ Vr, F - SIDC06D120E6 Einzelheiten PDF [English] SIDC06D120E6 PDF - EN.pdf
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