| IRF520N | |
|---|---|
| Artikelnummer | IRF520N |
| Hersteller | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB |
| Verfügbare Menge | 10050 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | |
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| Technische Information von IRF520N | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | IRF520N | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | International Rectifier (Infineon Technologies) | Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220 | Verfügbare Menge | 10050 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB | Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 5.7A, 10V | Verlustleistung (max) | 48W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9.7A (Tc) |
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| Zugehörige Teile für IRF520N | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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