| IRF3709ZCLPBF | |
|---|---|
| Artikelnummer | IRF3709ZCLPBF |
| Hersteller | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 87A TO-262 |
| Verfügbare Menge | 2629 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | IRF3709ZCLPBF.pdf |
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| Technische Information von IRF3709ZCLPBF | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | IRF3709ZCLPBF | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | International Rectifier (Infineon Technologies) | Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 87A TO-262 |
| Paket / Fall | Tube | Verfügbare Menge | 2629 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-262 | Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 21A, 10V | Verlustleistung (max) | 79W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2130pF @ 15V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 87A (Tc) |
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| IRF3709ZCLPBF-Lager | IRF3709ZCLPBF Preis | IRF3709ZCLPBF-Elektronik | |||
| IRF3709ZCLPBF-Komponenten | IRF3709ZCLPBF Inventar | IRF3709ZCLPBF Digikey | |||
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| Zugehörige Teile für IRF3709ZCLPBF | |||||
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