| IPG20N06S2L35ATMA1 | |
|---|---|
| Artikelnummer | IPG20N06S2L35ATMA1 |
| Hersteller | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4 |
| Verfügbare Menge | 31000 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | |
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| Technische Information von IPG20N06S2L35ATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | IPG20N06S2L35ATMA1 | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | International Rectifier (Infineon Technologies) | Beschreibung | MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4 |
| Paket / Fall | Tape & Reel (TR) | Verfügbare Menge | 31000 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 27µA | Supplier Device-Gehäuse | PG-TDSON-8-4 |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 15A, 10V |
| Leistung - max | 65W | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN | Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V | Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20A | IPG20N06S2L35ATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPG20N06S2L35ATMA1 PDF - EN.pdf |
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