| IPA057N08N3GXKSA1 | |
|---|---|
| Artikelnummer | IPA057N08N3GXKSA1 |
| Hersteller | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3 |
| Verfügbare Menge | 2850 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | |
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| IPA057N08N3GXKSA1 Price |
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| Technische Information von IPA057N08N3GXKSA1 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | IPA057N08N3GXKSA1 | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | International Rectifier (Infineon Technologies) | Beschreibung | MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3 |
| Paket / Fall | Tube | Verfügbare Menge | 2850 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | PG-TO220-FP |
| Serie | OptiMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 60A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 39W (Tc) | Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack | Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4750pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 60A (Tc) |
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