BSC500N20NS3GATMA1
Artikelnummer BSC500N20NS3GATMA1
Hersteller International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
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Technische Information von BSC500N20NS3GATMA1
Hersteller-Teilenummer BSC500N20NS3GATMA1 Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller International Rectifier (Infineon Technologies) Beschreibung MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Paket / Fall Tape & Reel (TR) Verfügbare Menge 11000 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 60µA Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8
Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 22A, 10V
Verlustleistung (max) 96W (Tc) Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1580pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)
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