| BSC320N20NS3GATMA1 | |
|---|---|
| Artikelnummer | BSC320N20NS3GATMA1 |
| Hersteller | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8 |
| Verfügbare Menge | 1500 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | |
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| Technische Information von BSC320N20NS3GATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | BSC320N20NS3GATMA1 | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | International Rectifier (Infineon Technologies) | Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8 |
| Paket / Fall | TDS0N8 | Verfügbare Menge | 1500 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | PG-TDSON-8 |
| Serie | OptiMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 36A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 125W (Tc) | Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN | Andere Namen | BSC320N20NS3 GCT BSC320N20NS3 GCT-ND BSC320N20NS3GATMA1CT |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2350pF @ 100V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 200V 36A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 36A (Tc) |
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