1N5406
Artikelnummer 1N5406
Hersteller ON Semiconductor
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
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Technische Information von 1N5406
Hersteller-Teilenummer 1N5406 Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller ON Semiconductor Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Paket / Fall Bulk Verfügbare Menge 10443 pcs
Spannung - Spitzensperr- (max) Standard Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 3A
Spannung - Durchschlag DO-201AD Serie -
RoHS Status Bulk Rückwärts-Erholzeit (Trr) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Widerstand @ If, F - Polarisation DO-201AA, DO-27, Axial
Andere Namen 1N5406OS Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller-Teilenummer 1N5406
Expanded Beschreibung Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-201AD Diodenkonfiguration 10µA @ 600V
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1V @ 3A
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 600V Kapazität @ Vr, F -65°C ~ 170°C
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