| EPC8004ENGR | |
|---|---|
| Artikelnummer | EPC8004ENGR |
| Hersteller | EPC |
| Beschreibung | TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE |
| Verfügbare Menge | 2564 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | EPC8004ENGR.pdf |
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| Technische Information von EPC8004ENGR | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | EPC8004ENGR | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | EPC | Beschreibung | TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE |
| Paket / Fall | Tray | Verfügbare Menge | 2564 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Supplier Device-Gehäuse | Die | Serie | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 500mA, 5V | Verlustleistung (max) | - |
| Verpackung | Tray | Verpackung / Gehäuse | Die |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 45pF @ 20V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.36nC @ 5V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.4A (Ta) |
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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