VS-2EFH02-M3/I
Artikelnummer VS-2EFH02-M3/I
Hersteller Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 2A DO219AB
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Technische Information von VS-2EFH02-M3/I
Hersteller-Teilenummer VS-2EFH02-M3/I Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller Electro-Films (EFI) / Vishay Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 2A DO219AB
Paket / Fall Tape & Reel (TR) Verfügbare Menge 2527 pcs
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 950mV @ 2A Spannung - Sperr (Vr) (max) 200V
Supplier Device-Gehäuse DO-219AB (SMF) Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie FRED Pt® Rückwärts-Erholzeit (Trr) 25ns
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse DO-219AB
Andere Namen VS-2EFH02-M3/IGITR Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 45 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp Standard detaillierte Beschreibung Diode Standard 200V 2A Surface Mount DO-219AB (SMF)
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 2µA @ 200V Strom - Richt (Io) 2A
Kapazität @ Vr, F - VS-2EFH02-M3/I Einzelheiten PDF [English] VS-2EFH02-M3/I PDF - EN.pdf
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