| SI7940DP-T1-GE3 | |
|---|---|
| Artikelnummer | SI7940DP-T1-GE3 |
| Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 |
| Verfügbare Menge | 2944 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | |
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| Technische Information von SI7940DP-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | SI7940DP-T1-GE3 | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay | Beschreibung | MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 |
| Paket / Fall | Tape & Reel (TR) | Verfügbare Menge | 2944 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V |
| Leistung - max | 1.4W | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 Dual | Andere Namen | SI7940DP-T1-GE3TR SI7940DPT1GE3 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) | FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V | detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 7.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7.6A | Basisteilenummer | SI7940 |
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| Zugehörige Teile für SI7940DP-T1-GE3 | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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