| SI4420BDY-T1-GE3 | |
|---|---|
| Artikelnummer | SI4420BDY-T1-GE3 |
| Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC |
| Verfügbare Menge | 2744 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | |
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| Technische Information von SI4420BDY-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | SI4420BDY-T1-GE3 | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay | Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC |
| Paket / Fall | Tape & Reel (TR) | Verfügbare Menge | 2744 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 13.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1.4W (Ta) | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Andere Namen | SI4420BDY-T1-GE3TR SI4420BDYT1GE3 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 30V 9.5A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9.5A (Ta) | SI4420BDY-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI4420BDY-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
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