DMT10H015LCG-13
Artikelnummer DMT10H015LCG-13
Hersteller Diodes Incorporated
Beschreibung MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
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Technische Information von DMT10H015LCG-13
Hersteller-Teilenummer DMT10H015LCG-13 Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller Diodes Incorporated Beschreibung MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
Paket / Fall Tape & Reel (TR) Verfügbare Menge 2651 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse V-DFN3333-8 Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 20A, 10V Verlustleistung (max) 1W (Ta)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse 8-VDFN Exposed Pad
Betriebstemperatur -55°C ~ 155°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1871pF @ 50V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.3nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.4A (Ta), 34A (Tc)
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