DMT10H015LCG-13 | |
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Artikelnummer | DMT10H015LCG-13 |
Hersteller | Diodes Incorporated |
Beschreibung | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN |
Verfügbare Menge | 2651 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
ECAD -Modell | |
Datenblätter | |
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Technische Information von DMT10H015LCG-13 | |||
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Hersteller-Teilenummer | DMT10H015LCG-13 | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
Hersteller | Diodes Incorporated | Beschreibung | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN |
Paket / Fall | Tape & Reel (TR) | Verfügbare Menge | 2651 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | V-DFN3333-8 | Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 20A, 10V | Verlustleistung (max) | 1W (Ta) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | 8-VDFN Exposed Pad |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 155°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1871pF @ 50V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.3nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9.4A (Ta), 34A (Tc) |
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Zugehörige Teile für DMT10H015LCG-13 | |||||
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