Produktmodell

SK20GD123

Einführung

IGBT-Modul für hocheffiziente Anwendungen

Marke und Hersteller

Semikron International

Merkmale

Hochstromabrechnungsfähigkeit

Niedrige Schaltverluste

Hohe Effizienz

Integrierte Diode für Freilaufanwendungen

Produktleistung

Ausgezeichnete thermische Leistung

Robust gegen harte Bedingungen

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Technische Spezifikationen

Sammler-Emitter-Spannung: 1200 V

Gate-Emitter-Spannung: ± 20 V

Sammlerstrom: 20a

Schaltfrequenz: bis zu 20 kHz

Abmessungen, Form und Verpackung

Kompaktmodul

Rechteckige Form

Standardverpackung für einfache Integration

Qualität und Zuverlässigkeit

Hochwertige Materialien für langfristige Zuverlässigkeit

Auf Ausdauer und Leistung unter Stress getestet

Produktvorteile

Verbessert die Systemeffizienz

Reduziert den Energieverlust

Verbessert die Systemzuverlässigkeit

Produktwettbewerbsfähigkeit

Überlegene Leistung in seiner Klasse

Kostengünstige Lösung für Stromanwendungen

Kompatibilität

Kompatibel mit Standard -Gate -Treibern

Flexibel für die Verwendung in verschiedenen Schaltungskonstruktionen

Standardzertifizierung und Konformität

Erfüllt internationale Sicherheits- und Umweltstandards

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Für ein langes operatives Leben entworfen

Trägt zu energiesparenden und Nachhaltigkeitszielen bei

Tatsächliche Anwendungsfelder

Erneuerbare Energiesysteme

Stromversorgungssysteme für Elektrofahrzeuge

Industriemotorfahrten

Stromversorgungseinheiten

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