STGWT40V60DF
Artikelnummer STGWT40V60DF
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung IGBT 600V 80A 283W TO3P-3
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Technische Information von STGWT40V60DF
Hersteller-Teilenummer STGWT40V60DF Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller STMicroelectronics Beschreibung IGBT 600V 80A 283W TO3P-3
Paket / Fall Tube Verfügbare Menge 3039 pcs
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A
Testbedingung 400V, 40A, 10 Ohm, 15V Td (ein / aus) bei 25 ° C 52ns/208ns
Schaltenergie 456µJ (on), 411µJ (off) Supplier Device-Gehäuse TO-3P
Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 41ns
Leistung - max 283W Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 Andere Namen 497-13771-5
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp Standard IGBT-Typ Trench Field Stop
Gate-Ladung 226nC detaillierte Beschreibung IGBT Trench Field Stop 600V 80A 283W Through Hole TO-3P
Strom - Collector Pulsed (Icm) 160A Strom - Kollektor (Ic) (max) 80A
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