STGP15M65DF2
Artikelnummer STGP15M65DF2
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
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Technische Information von STGP15M65DF2
Hersteller-Teilenummer STGP15M65DF2 Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller STMicroelectronics Beschreibung TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Paket / Fall Tube Verfügbare Menge 2571 pcs
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A
Testbedingung 400V, 15A, 12 Ohm, 15V Td (ein / aus) bei 25 ° C 24ns/93ns
Schaltenergie 90µJ (on), 450µJ (off) Supplier Device-Gehäuse TO-220
Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 142ns
Leistung - max 136W Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Andere Namen 497-16482-5
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp Standard IGBT-Typ Trench Field Stop
Gate-Ladung 45nC detaillierte Beschreibung IGBT Trench Field Stop 650V 30A 136W Through Hole TO-220
Strom - Collector Pulsed (Icm) 60A Strom - Kollektor (Ic) (max) 30A
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