CM20YE13-12H
Artikelnummer CM20YE13-12H
Hersteller Mitsubishi
Beschreibung IGBT Modules
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Hersteller-Teilenummer CM20YE13-12H Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Hersteller Mitsubishi Electric Semiconductor Beschreibung IGBT Modules
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Bedingung New Original Stock Garantie 100% Perfect Functions
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Produktmodell

CM20YE13-12H

Einführung

IGBT-Modul

Marke und Hersteller

Mitsubishi Electric Semiconductor

Merkmale

Hocheffizienter isolierter Gate-Bipolartransistor, geringer Leistungsverlust, schnelle Schaltgeschwindigkeit, fähig zu Hochfrequenzbetrieb

Produktleistung

Optimiert für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen, effiziente Wärmeleistung für Stabilität unter Last

Technische Spezifikationen

Kollektor-Emitter-Spannung: 600V, Kollektorstrom: 20A, Gate-Emitter-Spannung: ±20V, Verlustleistung: 200W

Abmessungen, Form und Verpackung

Rechteckiges Modul, Abmessungen: 108mm x 62mm x 30mm, Gewicht: ca. 340g, Standardindustrieller Verpackung

Qualität und Zuverlässigkeit

Hohe Zuverlässigkeit unter Umwelteinflüssen, lange Betriebslebensdauer, entspricht industriellen Qualitätsstandards

Produktvorteile

Energieeffizientes Design reduziert Betriebskosten, robuste Konstruktion verbessert die Lebensdauer

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähiger Preis im Markt für IGBT-Module, bietet überlegene Leistung in industriellen Anwendungen

Kompatibilität

Kompatibel mit Standard-IGBT-Treibern, flexibel einsetzbar in verschiedenen Schaltungsanordnungen

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht internationalen Sicherheits- und Umweltstandards, RoHS-konform

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Für langfristige Zuverlässigkeit ausgelegt, umweltfreundliche Materialien minimieren die Umweltauswirkungen

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Steuerungen für Elektromotoren von Fahrzeugen, Wechselrichter für erneuerbare Energien, industrielle Motorantriebe, Energiemanagementsysteme

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