| ALD110914PAL | |
|---|---|
| Artikelnummer | ALD110914PAL |
| Hersteller | Advanced Linear Devices, Inc. |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
| Verfügbare Menge | 2504 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | ALD110914PAL.pdf |
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| Technische Information von ALD110914PAL | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | ALD110914PAL | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | Advanced Linear Devices, Inc. | Beschreibung | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
| Paket / Fall | Tube | Verfügbare Menge | 2504 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.42V @ 1µA | Supplier Device-Gehäuse | 8-PDIP |
| Serie | EPAD® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 5.4V |
| Leistung - max | 500mW | Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | Andere Namen | 1014-1042 |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 8 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | Typ FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| FET-Merkmal | Standard | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 10.6V |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 8-PDIP | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12mA, 3mA |
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| Zugehörige Teile für ALD110914PAL | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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