| SMUN5313DW1T3G | |
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| Artikelnummer | SMUN5313DW1T3G |
| Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Beschreibung | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 |
| Verfügbare Menge | 2894 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | SMUN5313DW1T3G.pdf |
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| SMUN5313DW1T3G Price |
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| Technische Information von SMUN5313DW1T3G | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | SMUN5313DW1T3G | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Beschreibung | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 |
| Paket / Fall | Tape & Reel (TR) | Verfügbare Menge | 2894 pcs |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | Supplier Device-Gehäuse | SOT-363 |
| Serie | - | Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms | Leistung - max | 187mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 40 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | - | detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SOT-363 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 5mA, 10V | Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA | SMUN5313DW1T3G Einzelheiten PDF [English] | SMUN5313DW1T3G PDF - EN.pdf |
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