SMUN5213DW1T1G
Artikelnummer SMUN5213DW1T1G
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
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Technische Information von SMUN5213DW1T1G
Hersteller-Teilenummer SMUN5213DW1T1G Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreibung TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
Paket / Fall Cut Tape (CT) Verfügbare Menge 2807 pcs
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 47 kOhms Leistung - max 187mW
Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen SMUN5213DW1T1GOSCT Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 40 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Frequenz - Übergang -
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA
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