SMMUN2114LT1G
Artikelnummer SMMUN2114LT1G
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23
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Technische Information von SMMUN2114LT1G
Hersteller-Teilenummer SMMUN2114LT1G Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23
Paket / Fall Tape & Reel (TR) Verfügbare Menge 3444 pcs
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms Leistung - max 246mW
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen SMMUN2114LT1G-ND
SMMUN2114LT1GOSTR
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 36 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA Basisteilenummer MMUN21**L
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