SMMBFJ177LT1G
Artikelnummer SMMBFJ177LT1G
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung TRANS JFET P-CH SOT23
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Technische Information von SMMBFJ177LT1G
Hersteller-Teilenummer SMMBFJ177LT1G Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreibung TRANS JFET P-CH SOT23
Paket / Fall Cut Tape (CT) Verfügbare Menge 2656 pcs
Spannung - Cutoff (VGS off) @ Id 800mV @ 10nA Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS) 30V
Supplier Device-Gehäuse SOT-23 (TO-236AB) Serie Automotive, AEC-Q101
Resistance - RDS (on) 300 Ohms Leistung - max 225mW
Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen SMMBFJ177LT1GOSCT Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 2 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11pF @ 10V (VGS) Typ FET P-Channel
detaillierte Beschreibung JFET P-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0) 1.5mA @ 15V
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