| NVMD3P03R2G | |
|---|---|
| Artikelnummer | NVMD3P03R2G |
| Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC |
| Verfügbare Menge | 2626 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | NVMD3P03R2G.pdf |
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| Technische Information von NVMD3P03R2G | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | NVMD3P03R2G | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Beschreibung | MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC |
| Paket / Fall | Tape & Reel (TR) | Verfügbare Menge | 2626 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
| Serie | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 3.05A, 10V |
| Leistung - max | 730mW | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Andere Namen | NVMD3P03R2G-ND NVMD3P03R2GOSTR |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 28 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 24V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V | Typ FET | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.34A 730mW Surface Mount 8-SOIC | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.34A |
| Basisteilenummer | NTMD3P03 | NVMD3P03R2G Einzelheiten PDF [English] | NVMD3P03R2G PDF - EN.pdf |
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