| NSVMMUN2114LT3G | |
|---|---|
| Artikelnummer | NSVMMUN2114LT3G |
| Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Beschreibung | TRANS PNP BIPO 50V SOT23-3 |
| Verfügbare Menge | 2573 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | NSVMMUN2114LT3G.pdf |
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| NSVMMUN2114LT3G Price |
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| Technische Information von NSVMMUN2114LT3G | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | NSVMMUN2114LT3G | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Beschreibung | TRANS PNP BIPO 50V SOT23-3 |
| Paket / Fall | Tape & Reel (TR) | Verfügbare Menge | 2573 pcs |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased | Supplier Device-Gehäuse | SOT-23-3 (TO-236) |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms | Leistung - max | 246mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 36 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) | DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 5mA, 10V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA | Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
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