NSVBC124EPDXV6T1G | |
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Artikelnummer | NSVBC124EPDXV6T1G |
Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Beschreibung | SS SOT563 DUAL RSTR XSTR |
Verfügbare Menge | 2574 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
ECAD -Modell | |
Datenblätter | NSVBC124EPDXV6T1G.pdf |
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NSVBC124EPDXV6T1G Price |
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Technische Information von NSVBC124EPDXV6T1G | |||
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Hersteller-Teilenummer | NSVBC124EPDXV6T1G | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Beschreibung | SS SOT563 DUAL RSTR XSTR |
Paket / Fall | Verfügbare Menge | 2574 pcs | |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | Supplier Device-Gehäuse | SOT-563 |
Serie | Automotive, AEC-Q101 | Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms | Leistung - max | 339W |
Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 | Befestigungsart | Surface Mount |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | - | detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339W Surface Mount SOT-563 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 60 @ 5mA, 10V | Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA | NSVBC124EPDXV6T1G Einzelheiten PDF [English] | NSVBC124EPDXV6T1G PDF - EN.pdf |
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Zugehörige Teile für NSVBC124EPDXV6T1G | |||||
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Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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NSVBC123JPDXV6T1G | TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | |||
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NSVBC143ZPDXV6T5G | TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | |||
NSVBC143ZPDXV6T1G | TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | |||
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