| NSBA123JDXV6T1G | |
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| Artikelnummer | NSBA123JDXV6T1G |
| Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Beschreibung | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 |
| Verfügbare Menge | 40296 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | NSBA123JDXV6T1G.pdf |
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| NSBA123JDXV6T1G Price |
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| Technische Information von NSBA123JDXV6T1G | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | NSBA123JDXV6T1G | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Beschreibung | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 |
| Paket / Fall | Tape & Reel (TR) | Verfügbare Menge | 40296 pcs |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Transistor-Typ | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) | Supplier Device-Gehäuse | SOT-563 |
| Serie | - | Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms | Leistung - max | 500mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
| Andere Namen | NSBA123JDXV6T1GOS NSBA123JDXV6T1GOS-ND NSBA123JDXV6T1GOSTR |
Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | - | detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 5mA, 10V | Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA | Basisteilenummer | NSBA1* |
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