| NCV5104DR2G | |
|---|---|
| Artikelnummer | NCV5104DR2G |
| Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Beschreibung | IC MOSFET DRIVER LOW SIDE 8SOIC |
| Verfügbare Menge | 2978 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | NCV5104DR2G.pdf |
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| NCV5104DR2G Price |
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| Technische Information von NCV5104DR2G | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | NCV5104DR2G | Kategorie | Integrierte Schaltungen (ICs) |
| Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Beschreibung | IC MOSFET DRIVER LOW SIDE 8SOIC |
| Paket / Fall | Tape & Reel (TR) | Verfügbare Menge | 2978 pcs |
| Spannungsversorgung | 10 V ~ 20 V | Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 85ns, 35ns |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen | NCV5104DR2G-ND NCV5104DR2GOSTR |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 2 | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 34 Weeks |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2.3V | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp | Non-Inverting | High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) | 600V |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel MOSFET | Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| detaillierte Beschreibung | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC | Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 250mA, 500mA |
| Ladestrom | Synchronous | NCV5104DR2G Einzelheiten PDF [English] | NCV5104DR2G PDF - EN.pdf |
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