MMUN2211LT3G | |
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Artikelnummer | MMUN2211LT3G |
Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 |
Verfügbare Menge | 2568 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
ECAD -Modell | |
Datenblätter | MMUN2211LT3G.pdf |
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Technische Information von MMUN2211LT3G | |||
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Hersteller-Teilenummer | MMUN2211LT3G | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 |
Paket / Fall | Tape & Reel (TR) | Verfügbare Menge | 2568 pcs |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased | Supplier Device-Gehäuse | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie | - | Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms | Leistung - max | 246mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andere Namen | MMUN2211LT3G-ND MMUN2211LT3GOSTR |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 36 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 35 @ 5mA, 10V | Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA | Basisteilenummer | MMUN22**L |
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Zugehörige Teile für MMUN2211LT3G | |||||
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Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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MMUN2211LT1G | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | |||
MMUN2212LT1 | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | |||
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MMUN2141LT1G | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | |||
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MMUN2212LT1G | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | |||
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