| MMUN2132LT1G | |
|---|---|
| Artikelnummer | MMUN2132LT1G |
| Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Beschreibung | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 |
| Verfügbare Menge | 63000 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | MMUN2132LT1G.pdf |
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| MMUN2132LT1G Price |
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| Technische Information von MMUN2132LT1G | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | MMUN2132LT1G | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Beschreibung | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 |
| Paket / Fall | Cut Tape (CT) | Verfügbare Menge | 63000 pcs |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased | Supplier Device-Gehäuse | SOT-23-3 (TO-236) |
| Serie | - | Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms | Leistung - max | 246mW |
| Verpackung | Cut Tape (CT) | Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Andere Namen | MMUN2132LT1GOSCT | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 36 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 15 @ 5mA, 10V | Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA | Basisteilenummer | MMUN21**L |
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| Zugehörige Teile für MMUN2132LT1G | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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