| FQA19N20C | |
|---|---|
| Artikelnummer | FQA19N20C |
| Hersteller | onsemi |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 21.8A TO3P |
| Verfügbare Menge | 12788 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| Datenblätter | 1.FQA19N20C.pdf2.FQA19N20C.pdf3.FQA19N20C.pdf |
| Herunterladen | FQA19N20C Einzelheiten PDF |
| FQA19N20C Price |
Preis und Lieferzeit online anfordern or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technische Information von FQA19N20C | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | FQA19N20C | Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Hersteller | AMI Semiconductor/onsemi | Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 21.8A TO3P |
| Paket / Fall | TO-3P | Verfügbare Menge | 12788 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | TO-3P |
| Serie | QFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 10.9A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 180W (Tc) | Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Paket | Tube | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1080 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 21.8A (Tc) |
| Grundproduktnummer | FQA1 | FQA19N20C Einzelheiten PDF [English] | FQA19N20C PDF - EN.pdf |
| Herunterladen | FQA19N20C Einzelheiten PDF | ||
FQA19N20C
N-Kanal MOSFET für effizientes Leistungsmanagement
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
N-Kanal, 200V, 21.8A, TO-3PN Gehäuse, niedriger Rds (On), hohe Effizienz
170 mOhm bei 10.9A, 10V, 180W Leistungsverlust, 1080pF Eingangs-Kapazität
200V Drain-Source-Spannung, 21.8A Drain-Strom, 53nC Gate-Ladung
TO-3P-3, SC-65-3, Durchsteckmontage, Röhrenverpackung
Blei-frei, RoHS konform, Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe 1
Hohe Stromkapazität, niedriger Einschaltwiderstand, hohe thermische Leistung
Optimiert für leistungsintensive Anwendungen, wettbewerbsfähig in Hochleistungs-Lösungen
Vielseitig einsetzbar für verschiedene elektronische Schaltungen, kompatibel mit Hochspannungsanwendungen
Blei-frei, RoHS konform
Robuste Konstruktion, für langfristige Zuverlässigkeit ausgelegt
Stromversorgung, Konverter, Motorantriebe, Schaltanwendungen
| FQA19N20C Lagerbestand | FQA19N20C Preis | FQA19N20C Elektronik | |||
| FQA19N20C Komponenten | FQA19N20C Inventar | FQA19N20C Digikey | |||
| Lieferant FQA19N20C | FQA19N20C online bestellen | Anfrage FQA19N20C | |||
| FQA19N20C Bild | FQA19N20C Abbildung | FQA19N20C PDF | |||
| FQA19N20C Datenblatt | FQA19N20C Datenblatt herunterladen | Hersteller AMI Semiconductor/onsemi | |||
| Zugehörige Teile für FQA19N20C | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
![]() |
FQA20N60 | FQA20N60 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
![]() |
FQA18N40 | FQA18N40 Original | FAIRCHILD | ||
![]() |
FQA19N20L MOS | FAIRCHILD TO-3P | FAIRCHILD | ||
![]() |
FQA20N50 | FQA20N50 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
![]() |
FQA20N80 | FQA20N80 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
![]() |
FQA19N20 #T | FQA19N20 #T FSC | FSC | ||
![]() |
FQA22N30 | FQA22N30 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
![]() |
FQA18N50V2 | MOSFET N-CH 500V 20A TO3P | Fairchild Semiconductor | ||
![]() |
FQA18N50 | FQA18N50 Original | FAIRCHILD | ||
| FQA17N40 | MOSFET N-CH 400V 17.2A TO3P | onsemi | |||
![]() |
FQA19N60 | MOSFET N-CH 600V 18.5A TO3PN | Fairchild Semiconductor | ||
| FQA18N50V2 | MOSFET N-CH 500V 20A TO3P | onsemi | |||
| FQA19N20L | MOSFET N-CH 200V 25A TO3P | onsemi | |||
| FQA17P10 | MOSFET P-CH 100V 18A TO3P | onsemi | |||
![]() |
FQA19N20 | FAIRCHILD | |||
| FQA20N40 | MOSFET N-CH 400V 19.5A TO3P | onsemi | |||
| FQA19N60 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | onsemi | |||
![]() |
FQA19N60 MOS | FAIRCHILD TO-3P | FAIRCHILD | ||
![]() |
FQA18N50AV2 | FQA18N50AV2 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
![]() |
FQA17N40 | MOSFET N-CH 400V 17.2A TO3P | Fairchild Semiconductor | ||
Nachrichten
Mehr
Am 19. April 2026 (Ortszeit) enthüllten Medienberichte unter Berufung auf mit der Angelegenheit vertraute Quellen, dass Google, eine Tochtergesellsch...

Laut *The Business Times* begann die CoPoS-Pilotproduktionslinie (Chip-on-Panel-on-Substrate) von TSMC im Februar mit der Auslieferung von Geräten an...

Am 6. April Ortszeit gab der US-amerikanische Technologieriese für künstliche Intelligenz (KI) Anthropic bekannt, dass er eine neue Vereinbarung mit...

Am 1. April kündigte Microsoft an, 5,5 Milliarden US-Dollar in Singapur zu investieren, um seine Cloud- und künstliche Intelligenz (KI)-Infrastruktu...

Samsung Electronics wird das erste Unternehmen sein, das sein HBM4 der nächsten Generation exklusiv an OpenAI liefert, das weltweit größte Unterneh...
Neue Produkte
Mehr
Texas Instruments TPS92542-Q1 Synchronous Boost Controller enthält einen synchronen Boost-Controller und einen zweikanalmonolithischen Synchron-Bock-...

Der Toshiba TB67H453 Einkanal H-Bridge-Treiber hat eine Stromüberwachungsfunktion mit Spannungsrückkopplung vom Isense-Ausgangsstift.Die absolute ma...

STMICROELECTRONICS STSAFE-A120-Authentifizierung ICs sind hochsichere integrierte Schaltkreise, um empfindliche Daten und Geräte durch erweiterte kry...

STMICROELECTRONICS STSAFE-A optimierte Authentifizierung ICS nutzen erweiterte kryptografische Algorithmen und wichtige Managementtechniken, um sensib...

DIODES INCORTIERT PI3DPX1235Q 6: 4 Cross Buss Linear Redriver unterstützt DP-Link-Training-transparent für Quellen-Seiten-Anwendungen.Der PI3DPX1235...
E-Mail: Info@ariat-tech.comHK Tel.: +852 30501966Adresse: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.