DTC115EM3T5G
Artikelnummer DTC115EM3T5G
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723
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Technische Information von DTC115EM3T5G
Hersteller-Teilenummer DTC115EM3T5G Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723
Paket / Fall Tape & Reel (TR) Verfügbare Menge 2817 pcs
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased Supplier Device-Gehäuse SOT-723
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 100 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 100 kOhms Leistung - max 260mW
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse SOT-723
Andere Namen DTC115EM3T5G-ND
DTC115EM3T5GOSTR
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 5 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 260mW Surface Mount SOT-723
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA Basisteilenummer DTC115
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