2SK4065-DL-1EX
Artikelnummer 2SK4065-DL-1EX
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung MOSFET N-CH 75V TO263-2
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Technische Information von 2SK4065-DL-1EX
Hersteller-Teilenummer 2SK4065-DL-1EX Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreibung MOSFET N-CH 75V TO263-2
Paket / Fall Tape & Reel (TR) Verfügbare Menge 2609 pcs
VGS (th) (Max) @ Id - Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-263-2 Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 50A, 10V Verlustleistung (max) 1.65W (Ta), 90W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12200pF @ 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75V detaillierte Beschreibung N-Channel 75V 100A (Ta) 1.65W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount TO-263-2
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Ta) 2SK4065-DL-1EX Einzelheiten PDF [English] 2SK4065-DL-1EX PDF - EN.pdf
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