2SK4065-DL-1E
Artikelnummer 2SK4065-DL-1E
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung MOSFET N-CH 75V 100A
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Technische Information von 2SK4065-DL-1E
Hersteller-Teilenummer 2SK4065-DL-1E Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreibung MOSFET N-CH 75V 100A
Paket / Fall Tape & Reel (TR) Verfügbare Menge 2512 pcs
VGS (th) (Max) @ Id - Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-263-2
Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max) 1.65W (Ta), 90W (Tc) Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12200pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75V detaillierte Beschreibung N-Channel 75V 100A (Ta) 1.65W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount TO-263-2
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Ta) 2SK4065-DL-1E Einzelheiten PDF [English] 2SK4065-DL-1E PDF - EN.pdf
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