2SD1622S-TD-E
Artikelnummer 2SD1622S-TD-E
Hersteller onsemi
Beschreibung BIP NPN 1A 50V
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Technische Information von 2SD1622S-TD-E
Hersteller-Teilenummer 2SD1622S-TD-E Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Hersteller AMI Semiconductor/onsemi Beschreibung BIP NPN 1A 50V
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Produktmodell

2SD1622S-TD-E

Einführung

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor

Marke und Hersteller

SANYO Electric Co., Ltd.

Merkmale

Hochgeschwindigkeits-Schaltung, niedriges Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, ausgezeichnete Linearität von hFE, integrierte Dämpferdiode

Produktleistung

Ausreichendes Verstärkungs-Bandwidth-Produkt, stabile thermische Leistung, hohe Durchbruchspannung

Technische Spezifikationen

Typ: NPN, Kollektor-zu-Basis-Spannung (VCBO): 120V, Kollektor-zu-Emitter-Spannung (VCEO): 80V, Emitter-zu-Basis-Spannung (VEBO): 5V, Kollektorstrom (IC): 3A, Gesamtverlustleistung (PC): 1,5W

Abmessungen, Form und Verpackung

SOT-89 Kunststoffgehäuse, kompaktes und leichtes Design, geliefert in Tape and Reel für automatisierte Montage

Qualität und Zuverlässigkeit

Robuste Konstruktion für langfristige Stabilität, erfüllt die strengen Qualitätskontrollstandards von SANYO

Produktvorteile

Hohe Leistungsaufnahme auf kleinem Raum, energieeffizienter Betrieb

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Breit kompatibel mit zahlreichen Schaltungen, kosteneffiziente Lösung für die Massenproduktion

Kompatibilität

Kompatibel mit verschiedenen Antriebsschaltungen und Lastkonfigurationen

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht den RoHS-Richtlinien, gewährleistet Umwelt- und Sicherheitsstandards

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Für eine lange Betriebslebensdauer unter typischen Nutzungsbedingungen ausgelegt, umweltfreundliche Materialien in der Konstruktion verwendet

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Schaltregler, Leistungsverstärker, DC-DC-Wandler, Energiemanagementsysteme für Unterhaltungselektronik

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