7MBI75SA120
Artikelnummer 7MBI75SA120
Hersteller FUJI
Beschreibung IGBT Modules
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Technische Information von 7MBI75SA120
Hersteller-Teilenummer 7MBI75SA120 Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Hersteller FUJI Beschreibung IGBT Modules
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Produktmodell

7MBI75SA120

Einführung

IGBT Leistungsmodule

Marke und Hersteller

FUJI

Merkmale

Isolierte Gate-Bipolar-Transistor (IGBT) Technologie, niedrige Leistungsaufnahme und hohe Effizienz, geringe Treiberleistung erforderlich, hochgeschwindigkeits-Schaltung.

Produktleistung

Optimiert für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen, ausgezeichnete thermische Leistung, robuste Modulbauweise.

Technische Spezifikationen

Kollektor-Emitter Spannung: 1200 V, Kollektorstrom: 75 A, Leistungsabfuhr: 780 W.

Abmessungen, Form und Verpackung

Modulverpackung, standardisierte industrielle Abmessungen, robustes, versiegeltes Gehäuse geeignet für industrielle Umgebungen.

Qualität und Zuverlässigkeit

Hohe Zuverlässigkeit unter industriellen Betriebsbedingungen, lange Lebensdauer mit niedriger Ausfallrate.

Produktvorteile

Verbesserte elektrische Effizienz, reduzierte Energieverluste, hohe Schaltfrequenzen möglich mit minimaler Abnutzung.

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Hoch wettbewerbsfähig in Hochleistungsanwendungen, gut geeignet für anspruchsvolle Umgebungen wie industrielle Motorantriebe und Stromrichter.

Kompatibilität

Kompatibel mit standardmäßigen Gate-Treiberspannungen, lässt sich einfach in bestehende Systeme integrieren, ohne signifikante Änderungen vorzunehmen.

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht den branchenüblichen Zertifizierungen für Sicherheit und Betrieb, konform mit Umweltvorschriften.

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Entwickelt für langfristige Haltbarkeit, trägt zu Energieeinsparungen und zur Reduzierung des CO2-Fußabdrucks durch effizienten Betrieb bei.

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Industrielle Motorsteuerung, erneuerbare Energiesysteme, Ladesysteme für Elektrofahrzeuge, Energiemanagementsysteme.

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