Die 3D-NAND-Massenproduktion von Toshiba-WD Alliance wird das Samsung-TCAT-Verfahren verwenden
Laut der Impress Watch-Website kündigte Toshiba auf der IEDM-Konferenz am 8. Dezember an, bei der Massenproduktion von 3D-NAND-Flash-Speichern eine Samsung TCAT-ähnliche Speicherzellenstruktur zu verwenden.
Toshiba und Samsung waren führend in der Entwicklung der 3D-NAND-Technologie.
Toshiba hat das BiCS-Verfahren entwickelt, bei dem durch abwechselndes Aufbringen einer Oxidschicht und eines Polysiliziumschichtstapels, Auffüllen von ONO und pSi und anschließendes Aufbringen eines Fotoresists Durchkontaktierungslöcher nach dem Gate-First-Verfahren gebildet werden. Ein Schritt wird durch einen kontinuierlichen Ätzprozess gebildet, um Verbindungen auszubilden.
Samsung hat ein Gate-Last-Verfahren entwickelt, bei dem Oxid- und Nitridschichten abwechselnd abgeschieden werden, um Kanäle durch die Schicht zu bilden, ONO und pSi zu füllen, einen Schritt zum Ätzen eines Durchgangsgrabens zu bilden, das Nitrid zu entfernen und Aluminiumoxid, Titannitrid und Wolfram abzuscheiden zurückgeätzt, und der Tank wird schließlich mit einem Dock gefüllt.
Der Hauptunterschied zwischen den beiden Prozessen besteht darin, dass BiCS die Gate-First-Methode der pSi-Wortleitung verwendet, während TCAT die Gate-Last-Methode der W-Wortleitung verwendet. Der Vorteil von BiCS besteht darin, dass der Prozess relativ einfach ist, und der Vorteil von TCAT besteht darin, dass der Widerstand gering ist, was zur Verbesserung der Flash-Speicherleistung beiträgt.
Obwohl Toshiba BiCS entwickelt hat, gibt es Gerüchte in der Branche, dass Toshiba kein effektives BiCS herstellen kann, und das TCAT-Verfahren wird tatsächlich in der Massenproduktion eingesetzt. Toshiba hat bisher nicht auf das Gerücht reagiert.
Und auf dieser IEDM-Konferenz bestätigte WD diese Aussage indirekt in einem Vortrag über 3D-NAND-Flash-Technologie. Die in der Vorlesung gezeigte 3D-NAND-Flash-Technologie verwendet eine ähnliche Speicherstruktur wie Samsung TCAT und keine BiCS-Struktur.
Laut dem Halbleiterchip-Forschungsunternehmen TechInsights verwenden Samsung, Hynix und die Toshiba-WD Alliance derzeit eine TCAT-ähnliche Speicherzellentechnologie, um 3D-NAND-Flash-Speicher zu implementieren. Derzeit hat Hynix nicht offiziell auf diese Aussage geantwortet.
Toshiba und Samsung waren führend in der Entwicklung der 3D-NAND-Technologie.
Toshiba hat das BiCS-Verfahren entwickelt, bei dem durch abwechselndes Aufbringen einer Oxidschicht und eines Polysiliziumschichtstapels, Auffüllen von ONO und pSi und anschließendes Aufbringen eines Fotoresists Durchkontaktierungslöcher nach dem Gate-First-Verfahren gebildet werden. Ein Schritt wird durch einen kontinuierlichen Ätzprozess gebildet, um Verbindungen auszubilden.
Samsung hat ein Gate-Last-Verfahren entwickelt, bei dem Oxid- und Nitridschichten abwechselnd abgeschieden werden, um Kanäle durch die Schicht zu bilden, ONO und pSi zu füllen, einen Schritt zum Ätzen eines Durchgangsgrabens zu bilden, das Nitrid zu entfernen und Aluminiumoxid, Titannitrid und Wolfram abzuscheiden zurückgeätzt, und der Tank wird schließlich mit einem Dock gefüllt.
Der Hauptunterschied zwischen den beiden Prozessen besteht darin, dass BiCS die Gate-First-Methode der pSi-Wortleitung verwendet, während TCAT die Gate-Last-Methode der W-Wortleitung verwendet. Der Vorteil von BiCS besteht darin, dass der Prozess relativ einfach ist, und der Vorteil von TCAT besteht darin, dass der Widerstand gering ist, was zur Verbesserung der Flash-Speicherleistung beiträgt.
Obwohl Toshiba BiCS entwickelt hat, gibt es Gerüchte in der Branche, dass Toshiba kein effektives BiCS herstellen kann, und das TCAT-Verfahren wird tatsächlich in der Massenproduktion eingesetzt. Toshiba hat bisher nicht auf das Gerücht reagiert.
Und auf dieser IEDM-Konferenz bestätigte WD diese Aussage indirekt in einem Vortrag über 3D-NAND-Flash-Technologie. Die in der Vorlesung gezeigte 3D-NAND-Flash-Technologie verwendet eine ähnliche Speicherstruktur wie Samsung TCAT und keine BiCS-Struktur.
Laut dem Halbleiterchip-Forschungsunternehmen TechInsights verwenden Samsung, Hynix und die Toshiba-WD Alliance derzeit eine TCAT-ähnliche Speicherzellentechnologie, um 3D-NAND-Flash-Speicher zu implementieren. Derzeit hat Hynix nicht offiziell auf diese Aussage geantwortet.