Samsung plant die Massenproduktion von hochmodernen 3-nm-GAA-Chips. SK Hynix erweitert den Produktionsplan für EUV-DRAMs
Laut koreanischen Medien etnews gaben Samsung Electronics und SK Hynix auf der Veranstaltung "Tech Week 2020 LIVE" ihre jeweiligen Entwicklungsstrategien für die Halbleitertechnologie der nächsten Generation bekannt. Samsung Electronics plant unter anderem die Herstellung der ersten Charge modernster Chips in der Branche im 3-Nanometer-Gate-Allround-Verfahren (GAA). SK Hynix bereitet die Herstellung der EUV-Technologie (Extreme Ultraviolet Lithography) vor. DRAM.
Samsung Electronics sagte, dass das Unternehmen plant, die GAA-Technologie auf dem globalen Gießereimarkt einzusetzen, um den Produktmarkt der nächsten Generation durch Bestellungen von CPUs und GPUs der nächsten Generation von IBM und Nvidia zu entwickeln.
Kang Moon-soo, Geschäftsführer der Samsung-Gießerei, sagte: "Wir planen, die erste Halbleitercharge der Branche auf Basis der GAA-Technologie in Serie zu produzieren."
Koreanische Medien wiesen darauf hin, dass Samsung Electronics und TSMC derzeit die einzigen beiden Unternehmen in der Branche sind, die mit der Entwicklung von GAA-Prozessen begonnen haben.
Dies bedeutet auch, dass Samsung die Gelegenheit nutzen und sogar TSMC auf dem globalen Gießereimarkt führen kann, wenn Samsung Electronics TSMC im Massenproduktionsplan übertreffen kann.
Samsung Electronics sagte, dass das Unternehmen plant, die GAA-Technologie auf dem globalen Gießereimarkt einzusetzen, um den Produktmarkt der nächsten Generation durch Bestellungen von CPUs und GPUs der nächsten Generation von IBM und Nvidia zu entwickeln.
Kang Moon-soo, Geschäftsführer der Samsung-Gießerei, sagte: "Wir planen, die erste Halbleitercharge der Branche auf Basis der GAA-Technologie in Serie zu produzieren."
Koreanische Medien wiesen darauf hin, dass Samsung Electronics und TSMC derzeit die einzigen beiden Unternehmen in der Branche sind, die mit der Entwicklung von GAA-Prozessen begonnen haben.
Dies bedeutet auch, dass Samsung die Gelegenheit nutzen und sogar TSMC auf dem globalen Gießereimarkt führen kann, wenn Samsung Electronics TSMC im Massenproduktionsplan übertreffen kann.
SK Hynix wird in Kürze DRAM in Massenproduktion auf Basis der EUV-Technologie produzieren. Lim Chang-moon, Leiter des SK Hynix Instituts für Zukunftstechnologie, sagte: "Wir planen, das EUV-Verfahren ab dem 10-nm-DRAM (1a) der 4. Generation anzuwenden. Gleichzeitig planen wir, Anfang nächsten Jahres mit der Massenproduktion zu beginnen."
Daten zeigen, dass etwa 94% des globalen DRAM-Marktes von Samsung, SK Hynix und Micron monopolisiert werden und zwei koreanische Unternehmen etwa 74% des Marktes ausmachen.
Wenn GAA und EUV DRAM erfolgreich kommerzialisiert werden, wird der Status der koreanischen Halbleiterindustrie daher weiter verbessert. Gleichzeitig wurde in dem Bericht darauf hingewiesen, dass EUV DRAM die Kluft zwischen koreanischen Halbleiterunternehmen und chinesischen Halbleiterunternehmen weiter vergrößern kann. Angesichts der hohen Kosten für EUV-Ausrüstung und des begrenzten Angebots werden sich koreanische Unternehmen noch stärker von chinesischen Unternehmen unterscheiden.
Daten zeigen, dass etwa 94% des globalen DRAM-Marktes von Samsung, SK Hynix und Micron monopolisiert werden und zwei koreanische Unternehmen etwa 74% des Marktes ausmachen.
Wenn GAA und EUV DRAM erfolgreich kommerzialisiert werden, wird der Status der koreanischen Halbleiterindustrie daher weiter verbessert. Gleichzeitig wurde in dem Bericht darauf hingewiesen, dass EUV DRAM die Kluft zwischen koreanischen Halbleiterunternehmen und chinesischen Halbleiterunternehmen weiter vergrößern kann. Angesichts der hohen Kosten für EUV-Ausrüstung und des begrenzten Angebots werden sich koreanische Unternehmen noch stärker von chinesischen Unternehmen unterscheiden.