STMicroelectronics erhöht SiC-Wafer-Kapazität, STMicroelectronics schließt Übernahme von Norstel AB ab
Gestern (2) gab STMicroelectronics bekannt, dass die Übernahme des schwedischen Siliziumkarbid (SiC) -Waferherstellers Norstel AB ("Norstel") abgeschlossen wurde. Nach der Bekanntgabe der ersten Transaktion im Februar 2019 hat STMicroelectronics die Optionen ausgeübt und die restlichen 45% der Anteile erworben. Die Akquisitionen von Norstel beliefen sich auf 137,5 Mio. USD und wurden in bar bezahlt.
Es wird davon ausgegangen, dass Norstel vollständig in das weltweite Forschungs- und Entwicklungs- und Fertigungsgeschäft von ST integriert sein und das Geschäft mit der Herstellung von 150-mm-Siliziumkarbid-Chips und epitaktischen Wafern weiterentwickeln wird, um 200-mm-Wafer und eine breitere Palette von Materialien mit breiter Bandlücke zu entwickeln.
Norstel wurde 2005 von der Universität Linköping ausgegliedert, um 150-mm-SiC-Bare-Wafer und -Epitaxial-Wafer zu entwickeln und herzustellen. Nach Abschluss der Transaktion wird ST einen Teil der gesamten Lieferkette von SiC-Geräten kontrollieren und sich mit begrenzten globalen Kapazitäten eine wichtige Wachstumschance eröffnen.
Es kann gesagt werden, dass die Erfassung eine weitere Antwort von ST unter dem Mangel an SiC-Wafer-Kapazität ist. Zu Beginn dieses Jahres unterzeichnete ST einen mehrjährigen Liefervertrag mit Cree. Während die Nachfrage nach SiC-Leistungsbauelementen derzeit erheblich zunimmt, wird Cree STMicroelectronics 250 Millionen US-Dollar an fortschrittlichen 150-mm-SiC-Bare-Wafern und Epitaxial-Wafern von Cree liefern. Dies ist auch der dritte mehrjährige Liefervertrag, den ST seit 2018 unterzeichnet hat.
Im Dezember 2016 wurde Norstel von Anxin Investment übernommen.
Es versteht sich, dass Verbindungshalbleiter als die nächste Generation von Schlüsselhalbleitermaterialien in vielen Aspekten wie Kommunikation, Energie, Automobilelektronik usw. von großer Bedeutung sind Fähigkeiten. SiC gilt in der Halbleiterindustrie als "Werkstoff der Zukunft" und ist eine neue Art von Halbleitermaterial mit breitem Entwicklungspotenzial im neuen Jahrhundert.
Es wird davon ausgegangen, dass Norstel vollständig in das weltweite Forschungs- und Entwicklungs- und Fertigungsgeschäft von ST integriert sein und das Geschäft mit der Herstellung von 150-mm-Siliziumkarbid-Chips und epitaktischen Wafern weiterentwickeln wird, um 200-mm-Wafer und eine breitere Palette von Materialien mit breiter Bandlücke zu entwickeln.
Norstel wurde 2005 von der Universität Linköping ausgegliedert, um 150-mm-SiC-Bare-Wafer und -Epitaxial-Wafer zu entwickeln und herzustellen. Nach Abschluss der Transaktion wird ST einen Teil der gesamten Lieferkette von SiC-Geräten kontrollieren und sich mit begrenzten globalen Kapazitäten eine wichtige Wachstumschance eröffnen.
Es kann gesagt werden, dass die Erfassung eine weitere Antwort von ST unter dem Mangel an SiC-Wafer-Kapazität ist. Zu Beginn dieses Jahres unterzeichnete ST einen mehrjährigen Liefervertrag mit Cree. Während die Nachfrage nach SiC-Leistungsbauelementen derzeit erheblich zunimmt, wird Cree STMicroelectronics 250 Millionen US-Dollar an fortschrittlichen 150-mm-SiC-Bare-Wafern und Epitaxial-Wafern von Cree liefern. Dies ist auch der dritte mehrjährige Liefervertrag, den ST seit 2018 unterzeichnet hat.
Im Dezember 2016 wurde Norstel von Anxin Investment übernommen.
Es versteht sich, dass Verbindungshalbleiter als die nächste Generation von Schlüsselhalbleitermaterialien in vielen Aspekten wie Kommunikation, Energie, Automobilelektronik usw. von großer Bedeutung sind Fähigkeiten. SiC gilt in der Halbleiterindustrie als "Werkstoff der Zukunft" und ist eine neue Art von Halbleitermaterial mit breitem Entwicklungspotenzial im neuen Jahrhundert.