TP65H035WS Cascode Galliumnitrid (GaN) FET
TP65H035WS Cascode Galliumnitrid (GaN) FET
Transphorms TP65H035WS-Kaskoden-GaN-FET im TO-247 bietet überlegene Zuverlässigkeit und Leistung
Transphorms TP65H035WS 650 V, 35 mΩ GaN-FET ist ein selbstsperrendes Bauelement. Es kombiniert hochmoderne Hochspannungs-GaN-HEMT- und Niederspannungs-Silizium-MOSFET-Technologien und bietet damit höchste Zuverlässigkeit und Leistung.
Das GaN von Tranformorm bietet eine verbesserte Effizienz gegenüber Silizium durch niedrigere Gate-Ladung, niedrigeren Crossover-Verlust und kleinere Reverse-Recovery-Ladung.
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