IXYS Corporation
IXYS Corporation

- Die IXYS Corporation bietet eine breite Palette von Hochleistungshalbleitern, darunter Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand, ultraschnell schaltende IGBTs, FREDs (Fast Recovery Diode), SCR- und Diodenmodule, Gleichrichterbrücken und Leistungsschnittstellen-ICs.

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Part Number

Description

ECAD
Model

Quote

DIODE GEN 600V 30A ISOPLUS247

MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD

MOSFET N-CH 150V 62A TO-263

MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220

MOSFET N-CH 600V 24A TO247AD

THYRISTOR PHASE 19A 1200V TO-263

IGBT 1200V 22A 100W TO220

RF MOSFET N-CHANNEL DE475

MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B

MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247

DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263

MOSFET N-CH 100V 140A TO-247

DIODE GP 1.6KV 150A SOT227B

MOSFET P-CH 65V 28A TO-263

MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247

MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247

IGBT 1700V 42A 357W TO247

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252

MOSFET N-CH 200V 105A ISOPLUS247

MOSFET N-CH 200V 71A ISOPLUS247

DIODE GEN PURP 1.2KV 45A TO247AD

MOSFET N-CH 250V 50A TO-263

IGBT 600V 75A 300W TO264AA

MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI

MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO263

IGBT 3000V 37A 300W ISOPLUSI4

IGBT 900V 47A 160W ISOPLUS247

IGBT 600V 48A 150W TO247

DIODE SCHOTTKY 250V 18A TO252AA

MOSFET N-CH 600V 2A TO-220

MOSFET N-CH 600V 32A TO-264AA

DIODE SCHOTTKY 250V 21A TO252AA

IXZ631DF12N100 1000V 12A INTEGRA

DIODE GEN PURP 1.2KV 3.6A AXIAL

IGBT 600V 75A 250W TO247AD

MOSFET N-CH 75V 340A TO-247

MOSFET N-CH 1200V ISOPLUS247

MOSFET N-CH 500V 26A TO-263AA

MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD

IC CURRENT REGULATOR DPAK

DIODE MODULE 1.6KV 165A Y4-M6

IGBT 75A 600V SOT-227B

IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 8-SOIC

DIODE ARRAY SCHOTTKY 25V TO220AB

MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247

IGBT 600V 60A 167W ISOPLUS247

MOSFET N-CH 150V 150A PLUS247

MOSFET N-CH 900V 7A TO-268

DIODE MODULE 200V 582A Y4-M6

Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966HINZUFÜGEN: Rm 2703 27F Ho King Kommunikationszentrum 2-16,
Fa Yuen St. MongKok Kowloon, Hong Kong.